必須是在校學生並符合以下要件：

1. 指導教授已向本中心申請製程資料並獲核准使用；
2. 設計者與共同設計者均已獲得教授授權使用製程資料；
3. 指導教授名下之缺交測試報告累計未達三篇或教育性晶片測試報告累計未達六篇；
4. 設計者者無缺交測試報告。

其他詳細申請辦法請參考：

1. 前瞻性晶片製作申請須知與說明
2. 教育性晶片製作申請須知與說明

本中心目前僅開放大專院校的老師(講師以上)申請，採逐年申請，詳細申請辦法請參考：製程資料使用申請須知與說明

請登入本中心網頁 -> 晶片製作 -> 下線申請 -> 檢視下線資格 -> 點選"二.您名下測試報告催繳記錄如下"
若對該網頁資料有疑問，請與分機7219余小姐聯絡。

(1) 設計者的口頭報告時間20分鐘(包含委員提問)，一般分配如下：
A、相關研究發展現況及研究動機 ............ 2 分鐘
B、架構簡介及電路設計 .................... 5 分鐘
C、模擬結果 .............................. 3 分鐘
D、佈局驗証及包裝結果 .................... 2 分鐘
E、測試考量 .............................. 2 分鐘
F、審查委員發問 .......................... 6 分鐘

(2) 設計者準備的報告資料可參考：
審查會報告投影片範例

請直接來電或Email與相關業務承辦人洽詢。請見：晶片製作業務承辦人或聯絡窗口

不可忽略density error，需在chip內所剩的空間，補上dummy pattern，以達到density的要求。若補上dummy pattern後仍有此類error，請與各製程負責工程師聯絡，請勿自行合理化。
T18與TN90GUTM製程有提供dummy OD/PO/metal pattern generation utility提供設計者使用。

T18與D35製程提供STC I/O pad完整佈局，並提供相關的Example或說明文件。D35製程提供TSMC I/O pad（假佈局，需經過本中心替換真佈局）。

請一般為有厚金屬的top metal片電阻較小。(e.g.若是製程為1P6M，top metal則是metal 6)

"Nothing in layout"通常表示layout中元件繪製錯誤，使得Calibre認不到元件，所以才會無法找到物件進行LVS驗證。

新版Laker OA 已經與 Custom Compiler 一樣，是OA library，可呼叫使用 Synopsys 的 iPDK；而 Cadence的 PDK是給 Virtuoso 使用，也是OA library。
舊版Laker有獨立的M-Cell功能，是lib++ library，不同於OA library，不能呼叫PDK或iPDK。

請查看網頁，即有說明。各製程可違反之設計規範驗證(DRC)說明網頁

請在netlist檔中，加上電容及電阻的library (如：.lib 'xxx.l' pip/ .lib 'xxx.l' res…)，方可模擬，詳細library名稱請參考各製程model檔案內的說明。

對於高階設計者或是前瞻、高頻電路而言，使用電磁模擬軟體進行雜散效應分析，會較RC萃取方式準確，也較為適當，故使用電磁模擬可視為完成post-layout simulation。

由於WIN 0.15um PHEMT製程，原廠僅提供Diva DRC驗證檔案，當進行佈局驗證時，需先將WIN提供之驗證檔案(Dive Code)，複製至Rules Library。另外，Diva DRC驗證需設定相關的Switch Names以執行Rule Check，執行結果需個別達到Total errors found : 0。詳細Diva DRC驗證步驟可參考“WIN 0.15um PHEMT佈局驗證使用手冊”。其下載路徑請至 本中心首頁(登入)->晶片製作->技術資料(請選擇製程名稱為P15)->應用文件，文件編號：CIC-CIS-2008-MA33_P_v3.0

此現象是晶片中有加上dummy metal所造成的現象，但不應會影響電路工作。若設計者擔心打線時因為dummy metal導致方向腳位無法辨識，請設計者自行在佈局填加適當top metal辯識層，使封裝廠能正確地找到實際腳位。

凡申請TSMC 0.18um、TSMC 0.35um或UMC 0.18um CMOS製程的使用者即可使用該申請製程的製程資料，包含CMOS的Design kit與CMOS MEMS Design Kit(歸於技術檔案)/CMOS MEMS User Guide(歸於技術資料)。

可以請連繫
簡珮君小姐(Multi-option-MEMS製程, ext:7205, e-mail: frankie@niar.org.tw)
陳映安小姐(MEMS18製程, ext:7236, e-mail: yachen@niar.org.tw)
張惠禛小姐(U18MEMS製程, ext:7174, e-mail: jenny@niar.org.tw)

請於該梯次製程送件前，下載最新的製程版本，並確認是否使用正確的CMOS MEMS design kit所附的tf檔 (有分laker與cadence兩種版本)。

TSMC CMOS MEMS Design Kit所附的DRC rule已整合CMOS製程的相關rule，故使用者不需再額外執行CMOS製程的DRC rule，請使用者下線前確認所使用的DRC file是否為最新版本。
UMC 0.18um CMOS MEMS Design Kit 的DRC rule只針對MEMS結構部份，使用者需再執行UMC CMOS製程的DRC rules的驗證。

在CMOS製程中畫PAD這層光罩實際上是將該區的passivation保護層蝕刻移除掉，若該區內有頂層金屬，則頂層金屬將會曝露在空氣中，可以用於後續量測的打線連接。若是自行製作後製程的話，必須要考慮作後製程所使用的蝕刻液是否會蝕刻金屬，若是會的話則不可以畫PAD；反之若是使用本中心後製程者則需完全符合TSMC的design rule。

如需使用VIA、CO layer做濕蝕刻製程時，佈局方式可以path ring的方式圍成保護區，或是以棋盤式設計蝕刻區，但是VIA、CO的寬度與間隔必須符合DRC rule的規定，過大的VIA、CO寬度會造成塌陷，此一DRC rule可允許違反，但設計者必須自行承擔製程上之風險。

請先參考本中心晶片製作>下線導引>網頁Step5所列出的可違反之DRC rule table，若違反的DRC rule不在上述的table中，請在下線檔案上傳之前告知MEMS製程負責工程師，以確定DRC error是否影響整體製程穩定性，並請在下線報告中說明忽略該DRC error的理由。

MEMS 製程的DRC rule主要是針對MEMS元件的釋放與避免破壞CMOS電路而制定，若因個案之需求而違反請與事先工程師確認其風險與可行性。

CMOS頂層金屬不允許做為Hard Mask使用，因其受轟擊的時間過長會造成過多的polymer堆積並影響其他設計者的蝕刻製程，而較底層的金屬允許做為Hard Mask使用，但其保留之厚度無法控制。在Metal Hard Mask有相關特殊應用需求的設計者，請務必與MEMS的工程師進行討論詢問。

本中心目前不提供微機電模擬軟體的license，使用者可以向國家高速網路與計算中心(國網中心)之iService系統申請使用CoventorWare、Ansys等軟體，請參考下列網址 https://iservice.nchc.org.tw/nchc_service/index.php 使用前需先進行帳號之申請，若有帳號申請或是軟體使用等相關問題, 請洽詢國網中心iService系統的服務人員。

使用者可從EDA cloud選擇D35製程中資料夾「MOMEMS35_Conventorware」，內含CoventorWare模擬軟體使用MEMS製程描述檔案，其副檔名為 .proc。

可以，測試元件也請務必在下線前進行DRC驗證。

本中心提供的後製程步驟是乾蝕刻，用CHF3氣體來將silicon nitride和oxide結構進行蝕刻(有加電場，為非等向性蝕刻)，因此只能垂直蝕刻oxide，再使用SF6作等向性蝕刻silicon substrate。

請向 0.18um/0.35um CMOS MEMS工程師索取技術資料保密合約書(請以一式兩份)，並由指導教授簽署後寄回本中心工程師，待本中心確認後即會將製程材料參數技術資料電子檔發給指導教授。此外，UMC 0.18um CMOS MEMS製程尚無提供相關的製程材料參數。

本中心於D35-103B梯次起將MEMS35製程與BioMEMS35製程合併為0.35um Multi-Option MEMS製程。對原MEMS35使用者而言，以往使用RLS layer定義oxide與silicon蝕刻區域，現在可分別使用RLS layer與RLSSI layer依序定義蝕刻oxide與silicon區域，製程上有較多彈性可供選擇；而對原BioMEMS35使用者而言，Multi-Option MEMS 每一梯次皆可視為含BioMEMS之下線梯次，同時在layout繪製上並不受到影響。詳細layout繪製方式可參考文件編號「TSRI-CIS-2019-AP002_P_v4.0」，文件名稱「0.35um CMOS 多選項微機電製程.pdf」

可以，在繪製layout時請分別使用RLS與RLSSI layer定義需進行oxide與silicon蝕刻之區域，如只需蝕刻oxide而不蝕刻silicon，請在繪製layout時不要定義RLSSI layer。

不可以，請使用者勿將Bonding Pad的cell name取名為「pad」或「PAD」，此名稱為TSMC內部使用，若是用PAD當cell name會被TSMC自動取代成80*80um的Bonding Pad，請在下線前詳細檢查是否有使用跟TSMC I/O Library相同的Cells。

在TSMC製作完成晶片時厚度約為533um，每梯次製作時會有些許誤差，本中心僅能提供平均值供使用者參考，若需更準確之晶片厚度數據，建議使用者在取得晶片後可利用測厚儀自行量測。

以目前0.35um CMOS MEMS製程是無法做到在poly層上增加一層金屬層。若使用者須在poly層上加上一層金屬層，使用者需自行進行後製程將氧化層蝕刻掉以裸露出poly層，再鍍上金屬層。

不會，該製程無法有效的沉積金層在側壁上。

厚度約為3000A