一種半導體儲存記憶體陣列元件與其製程方法。半導體儲存記憶體陣列元件完成於基板上方，包括第一電極層、氧化物層、第二電極層、記憶材料層與第一絕緣層。上述氧化物層位於第一電極層上方；第二電極層位於氧化物層上方；記憶材料層位於第二電極層上方。上述第一絕緣層位於第一電極層、氧化物層、第二電極層與記憶材料層兩側。此外，上述氧化物層、第二電極層與第一絕緣層之間包含有間隙，或是氧化物層、第一電極層與第一絕緣層之間包含有間隙。

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