高階人才養成計畫
請注意：113年奈米產業高階人才養成計畫收件截止期限為112年12月22日(星期五) 24:00, 逾期不受理
113年高階人才養成計畫(Joint Developed Project, JDP)徵求公告
一、 本計畫之推動，係國家實驗研究院台灣半導體研究中心(以下簡稱TSRI)為協助國內教授群共同從事前瞻奈米元件技術開發，以期加值學界優秀的研究成果，並藉此培育碩博士級中高階研究人才，維持台灣在高科技產業的競爭優勢。
二、 計畫自即日起接受申請，請於112年12月22日(星期五)前以電子郵件方式寄送計畫構想書予本案聯絡窗口，逾期不予受理。三、 申請與構想書撰寫注意事項：
(一) 申請資格：國內各公私立大學院校教授研究群；於國內外擔任教學、研究專任職務在五年以內或獲博士學位後五年以內之專任教學、研究人員，得以隨到隨審的方式申請本計畫。
(二) 計畫執行期限：計畫採一年一審，執行期限為一年(113/1/1-113/12/31)
(三) 支援項目：折抵半導體中心儀器設備使用費、至多2名免費上課的學生，課程限半導體製程技術訓練班(SM01)及半導體製程設備見習班(SM01-1)
(四) 申請資料：計畫構想書(A4直式橫書撰寫、14級字、內容至多2頁)
(五) 核定儀器設備使用費折抵依據：
(二) 計畫執行期限：計畫採一年一審，執行期限為一年(113/1/1-113/12/31)
(三) 支援項目：折抵半導體中心儀器設備使用費、至多2名免費上課的學生，課程限半導體製程技術訓練班(SM01)及半導體製程設備見習班(SM01-1)
(四) 申請資料：計畫構想書(A4直式橫書撰寫、14級字、內容至多2頁)
(五) 核定儀器設備使用費折抵依據：
(1) 計畫構想書內容：半導體中心儀器設備可支援性(佔比20%)
(2) 團隊近三年於半導體中心績效系統填報情形：完成的碩博士畢業論文人數(佔比40%)、發表論文數與獲得專利件數(佔比40%)
(3) 首次申請團隊將核給使用額度50萬；非首次申請團隊，但過去三年未於半導體中心系統填列任何績效成果者，核給基本使用額度10萬
(2) 團隊近三年於半導體中心績效系統填報情形：完成的碩博士畢業論文人數(佔比40%)、發表論文數與獲得專利件數(佔比40%)
(3) 首次申請團隊將核給使用額度50萬；非首次申請團隊，但過去三年未於半導體中心系統填列任何績效成果者，核給基本使用額度10萬
四、 各計畫年度中如已用完所核定的儀器設備用額度，可來信申請新增，惟新增額度以計畫原核定額度的10%為上限。
五、 參與計畫義務
(一) 至本中心指定的填報系統線上填寫論文發表、人才培育、專利技轉、其它獲獎等研究成果。
(二) 發表論文須致謝台灣半導體研究中心。
(三) 如屬雙方合作產出之智慧財產(專利、技術移轉)，應依國家科學及技術委員會、財團法人國家實驗研究院相關規定辦理。
(二) 發表論文須致謝台灣半導體研究中心。
(三) 如屬雙方合作產出之智慧財產(專利、技術移轉)，應依國家科學及技術委員會、財團法人國家實驗研究院相關規定辦理。
表單下載
附件一.奈米產業高階人才養成計畫構想書
附件二.奈米產業高階人才養成計畫作業流程
附件三.年度成果報告格式
聯絡窗口
謝小姐；聯絡電話：03-5773693 轉 7724Email：plhsieh@narlabs.org.tw