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專利獲證技術

財團法人國家實驗研究院台灣半導體研究中心透過專利與技術移轉將本中心之研究成果擴散至產業界，期能提升產業界競爭力。
歡迎有興趣廠商對於本中心提供之專利與技術有意願者，與本窗口聯繫：王仁傑 先生，聯絡電話：03-5773693 轉 7161。

技術分類
1
Z軸扭轉式加速度器結構
本發明為一種Z軸扭轉式加速度計結構，其係金氧半導體(CMOS)及微機電(MEMS)半導體所形成，並包括有：一匹配邊框；二軸支撐部；一第一指叉部；一第二指叉部；以及一質量塊...
2
金氧半場效電晶體感測器結構
本發明為一種金氧半場效電晶體感測器結構，其包括：金氧半場效電晶體；感測層；以及參考電極...
3
氫離子感測場效電晶體及其製造方法
本發明係為一種氫離子感測場效電晶體及其製造方法，其包括半導體基材、絕緣層、電晶體閘極以及感測薄膜層...
4
互補金氧半-微機電系統的製程
一種與互補金氧半完全相容的微機電系統多計劃晶片的製程，包括在一晶片表面上塗佈一層厚光阻，圖案化該光阻以定義一微加工區域...
5
氣體感測器之結構
本發明係為氣體偵測器之結構，包含：氣體偵測器晶片，該晶片之感測材料背部係為一中空結構，感測材料下有一絕緣層，感測材料周圍有一微型加熱器，感測材料附著於感測電極上...
總筆數：7，顯示1~5