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氣體感測器之結構

P0008
本發明係為氣體偵測器之結構，包含：氣體偵測器晶片，該晶片之感測材料背部係為一中空結構，感測材料下有一絕緣層，感測材料周圍有一微型加熱器，感測材料附著於感測電極上，感測材料為二金屬氧化物半導體或一金屬氧化物半導體和一反應層之粗糙表面之感測層的複合結構，其中該二金屬氧化物之間具有一界面層，其能夠增加本發明氣體感測效率；經由本發明所提供之氣體偵測器結構，可於矽基板上完成懸浮氣體感測結構，並能將晶片尺寸做到最小化。
  • 申請國家：美國
  • 專利證書號：US10656129B2下載
  • 申請國家：中國
  • 專利證書號：CN110887873B下載
  • 申請國家：中華民國
  • 專利證書號：I706571下載
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