本發明係為一種氫離子感測場效電晶體及其製造方法，其包括半導體基材、絕緣層、電晶體閘極以及感測薄膜層。半導體基材上定義有閘極範圍，並且具有源極區及汲極區。絕緣層是形成於半導體基材上之閘極範圍內，而電晶體閘極則是設置於閘極範圍內並且具有第一閘極導電層，而第一閘極導電層係為鋁金屬層並且定義有感測窗區域於其上。感測薄膜層係形成於感測窗區域內，其中感測薄膜層係為由第一閘極導電層氧化而成之一層氧化鋁層。由於本發明可無須藉由額外的薄膜沉積製程即可生成出感測薄膜層，因此可簡化製程。

• 申請國家：美國
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