金氧半場效電晶體感測器結構
本發明為一種金氧半場效電晶體感測器結構，其包括：金氧半場效電晶體；感測層；以及參考電極。參考電極與感測層皆形成於金氧半場效電晶體之第一表面上且參考電極與感測層呈相互均勻耦合作用之排列。藉由本發明之實施，可使感測層與參考電極之間的電場分布均勻，進而使得金氧半場效電晶體感測器的工作訊號穩定。
- 申請國家：美國
- 專利證書號：8704278B2下載