本發明為一種Z軸扭轉式加速度計結構，其係金氧半導體(CMOS)及微機電(MEMS)半導體所形成，並包括有：一匹配邊框；二軸支撐部；一第一指叉部；一第二指叉部；以及一質量塊。本發明之實施，Z軸扭轉式加速度計結構因具有不對稱之結構體、及第一指叉部與第二指叉部對等性的阻抗結構，可以增加加速度計之靈敏度及感測訊號的對稱性。另一方面，由於可以從金氧半導體及微機電半導體的正面，即半導體底面基板的相對面，進行二次蝕刻，更可以再降低製作困難度並使製造良率提升。

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